JAN2N4029
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N4029中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-206
外形尺寸
封装 TO-206
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N4029引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N4029
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N4029 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-18 | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 80V 1A 3Pin TO-18 | 当前型号 |
| 型号： JAN2N3467L 品牌： 美高森美 封装： TO-5 PNP | 功能相似 | PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR | JAN2N4029和JAN2N3467L的区别 |
| 型号： 2N4033 品牌： Continental Device 封装： | 功能相似 | 0.8W RF PNP Metal Can Transistor. 80V Vceo, 1A Ic, 100 - 300 hFE. | JAN2N4029和2N4033的区别 |