JANTXV2N5664
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N5664中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2.5 W
击穿电压集电极-发射极 200 V
最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 5V
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-66
外形尺寸
封装 TO-66
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JANTXV2N5664引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N5664
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N5664 | Microsemi 美高森美 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N5664
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N5664 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-66 | 当前型号 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： 2N5039 品牌： NTE Electronics 封装： NPN | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 150V 25A 3Pin2+Tab TO-3 | JANTXV2N5664和2N5039的区别 |
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| 型号： 2N3584 品牌： NTE Electronics 封装： NPN | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 2N3584 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 350V, 35W, 5A, 100 hFE | JANTXV2N5664和2N3584的区别 |