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JANTX2N3960

JANTX2N3960

数据手册.pdf

Trans GP BJT NPN 12V 3Pin TO-18

This 2N3960 epitaxial planar transistor is military qualified up to the JANTXV level for high-reliability applications.  It features a thru-hole TO-18 package.  This device is also available in a low profile ceramic UB package.


得捷:
TRANS NPN 12V TO18


艾睿:
Trans GP BJT NPN 12V 3-Pin TO-18


Verical:
Trans GP BJT NPN 12V 3-Pin TO-18


JANTX2N3960中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.4 W

击穿电压集电极-发射极 12 V

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 1V

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

JANTX2N3960引脚图与封装图
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