JANTXV2N3636UB
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N3636UB中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 175 V
最小电流放大倍数hFE 50 @50mA, 10V
额定功率Max 1.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-3
外形尺寸
封装 SMD-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Pack
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JANTXV2N3636UB引脚图与封装图
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| JANTXV2N3636UB | Microsemi 美高森美 | Trans Pnp 175V 1A | 搜索库存 |