JAN2N2222AUA
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N2222AUA中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SMD-4
外形尺寸
封装 SMD-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N2222AUA引脚图与封装图
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在线购买JAN2N2222AUA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N2222AUA | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 4Pin UA | 搜索库存 |
替代型号JAN2N2222AUA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N2222AUA 品牌： Microsemi 美高森美 封装： 500mW | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 4Pin UA | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N2222AUA 品牌： 美高森美 封装： UA 500mW | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 4Pin UA | JAN2N2222AUA和JANTX2N2222AUA的区别 |
| 型号： 2N2222ACSM4 品牌： Semelab 封装： | 功能相似 | BJT, NPN, Switching Transistor, IC 0.8A | JAN2N2222AUA和2N2222ACSM4的区别 |
| 型号： JANS2N2222AUA 品牌： Semicoa Semiconductor 封装： | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 4Pin UA | JAN2N2222AUA和JANS2N2222AUA的区别 |