JAN2N2222AL
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N2222AL中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-206
外形尺寸
封装 TO-206
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N2222AL引脚图与封装图
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在线购买JAN2N2222AL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N2222AL | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3Pin TO-18 | 搜索库存 |
替代型号JAN2N2222AL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N2222AL 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-18 | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3Pin TO-18 | 当前型号 |
| 型号： JANS2N2222A 品牌： 美高森美 封装： TO-18-3 500mW | 完全替代 | 每NPN型硅开关晶体管合格MIL -PRF- 255分之19500 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255 | JAN2N2222AL和JANS2N2222A的区别 |
| 型号： HS2222A 品牌： 美高森美 封装： HSOT NPN | 完全替代 | HSOT NPN 50V 0.8A | JAN2N2222AL和HS2222A的区别 |
| 型号： JANHC2N2222AL 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | TO-18 NPN 50V 0.8A | JAN2N2222AL和JANHC2N2222AL的区别 |