击穿电压集电极-发射极 300 V
最小电流放大倍数hFE 25 @1A, 5V
额定功率Max 2.5 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-213
封装 TO-213
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准
含铅标准
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JAN2N5665 | Microsemi 美高森美 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JAN2N5665 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-66 | 当前型号 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: 2N5665 品牌: 美高森美 封装: TO-66 | 类似代替 | 每NPN功率硅开关晶体管合格MIL -PRF- 455分之19500 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/455 | JAN2N5665和2N5665的区别 | |
型号: JANTX2N6284 品牌: 美高森美 封装: TO-3 NPN 175000mW | 功能相似 | NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N5665和JANTX2N6284的区别 | |
型号: JANTX2N6277 品牌: 美高森美 封装: TO-3 NPN 250000mW | 功能相似 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N5665和JANTX2N6277的区别 |