JAN2N2484

Microsemi(美高森美) 分立器件

TO-18 NPN 60V 0.05A

Bipolar BJT Transistor NPN 60V 50mA 360mW Through Hole TO-18

艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 3-Pin TO-18

Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 3-Pin TO-18

JAN2N2484中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.36 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 225 @10mA, 5V

额定功率Max 360 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JAN2N2484引脚图与封装图

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JAN2N2484	Microsemi 美高森美	TO-18 NPN 60V 0.05A	搜索库存

替代型号JAN2N2484

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： JAN2N2484 品牌： Microsemi 美高森美封装： TO-18 NPN 360mW	当前型号	TO-18 NPN 60V 0.05A	当前型号
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