JAN2N3439L
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3439L中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 5 W
击穿电压集电极-发射极 350 V
最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-5-3
外形尺寸
封装 TO-5-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N3439L引脚图与封装图
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在线购买JAN2N3439L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N3439L | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT NPN 350V 1A 3Pin TO-5 | 搜索库存 |
替代型号JAN2N3439L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3439L 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-5-3 | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 350V 1A 3Pin TO-5 | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N3439L 品牌： 美高森美 封装： TO-5 | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 350V 1A 3Pin TO-5 | JAN2N3439L和JANTXV2N3439L的区别 |
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| 型号： 2N3439L 品牌： 美高森美 封装： TO-5 NPN 800mW | 功能相似 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N3439L和2N3439L的区别 |