JAN2N3735
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3735中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 20 @1A, 1.5V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N3735引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N3735
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3735 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 | 当前型号 | Trans Npn 40V 1.5A To39 | 当前型号 |
| 型号： 2N3735 品牌： 美高森美 封装： TO-205AD 1000mW | 类似代替 | 硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR | JAN2N3735和2N3735的区别 |
| 型号： JANTX2N3735 品牌： Semicoa Semiconductor 封装： | 类似代替 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A IC, 40V VBRCEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 | JAN2N3735和JANTX2N3735的区别 |
| 型号： JANTX2N3700 品牌： 美高森美 封装： TO-206AA 0.5W | 功能相似 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | JAN2N3735和JANTX2N3700的区别 |