JAN1N6130A
数据手册.pdf
Semtech Corporation
分立器件
JAN1N6130A中文资料参数规格
技术参数
额定功率 500 W
击穿电压 95 V
钳位电压 137.6 V
测试电流 12 mA
脉冲峰值功率 500 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 175℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 Axial
外形尺寸
封装 Axial
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
JAN1N6130A引脚图与封装图
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在线购买JAN1N6130A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN1N6130A | Semtech Corporation | Diode TVS Single Bi-Dir 76V 500W 2Pin | 搜索库存 |
替代型号JAN1N6130A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N6130A 品牌： Semtech Corporation 封装： Axial | 当前型号 | Diode TVS Single Bi-Dir 76V 500W 2Pin | 当前型号 |
| 型号： 1N6130A 品牌： Sensitron Semiconductor 封装： | 功能相似 | Transient Voltage Suppressor Diode, 500W | JAN1N6130A和1N6130A的区别 |
| 型号： SA85CA 品牌： New Jersey Semiconductor 封装： | 功能相似 | Diode TVS Single Bi-Dir 85V 500W 2Pin DO-15 T/R | JAN1N6130A和SA85CA的区别 |
