JANTX2N2222AL
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX2N2222AL中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18
外形尺寸
封装 TO-18
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANTX2N2222AL引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N2222AL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N2222AL | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3Pin TO-18 | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N2222AL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N2222AL 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-18 | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3Pin TO-18 | 当前型号 |
| 型号： HS2222A 品牌： 美高森美 封装： HSOT NPN | 完全替代 | HSOT NPN 50V 0.8A | JANTX2N2222AL和HS2222A的区别 |
| 型号： 2N2222A 品牌： NTE Electronics 封装： TO-18 NPN | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 2N2222A 收发器芯片, NPN | JANTX2N2222AL和2N2222A的区别 |
| 型号： JANS2N2222A 品牌： M/A-Com 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A IC, 50V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA, TO-18, 3 PIN | JANTX2N2222AL和JANS2N2222A的区别 |