JAN1N1184R
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JAN1N1184R中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.4 V
正向电流 35000 mA
正向电流Max 35000 mA
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
引脚数 2
封装 DO-203AB-2
外形尺寸
封装 DO-203AB-2
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
军工级 Yes
JAN1N1184R引脚图与封装图
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在线购买JAN1N1184R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN1N1184R | Microsemi 美高森美 | 军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier | 搜索库存 |
替代型号JAN1N1184R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N1184R 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~0.8°C/W | 当前型号 | 军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier | 当前型号 |
| 型号： JANTX1N1184R 品牌： 美高森美 封装： ~0.8°C/W | 类似代替 | 军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier | JAN1N1184R和JANTX1N1184R的区别 |
| 型号： JANTXV1N1184R 品牌： 美高森美 封装： ~0.8°C/W | 功能相似 | 军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier | JAN1N1184R和JANTXV1N1184R的区别 |