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JANTX2N2907AL

JANTX2N2907AL

数据手册.pdf

PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 600mA 500mW Through Hole TO-206AA TO-18


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag


Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag


JANTX2N2907AL中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JANTX2N2907AL引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANTX2N2907AL Microsemi 美高森美 PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JANTX2N2907AL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANTX2N2907AL

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-18 500mW

当前型号

PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号: JANTX2N2907A

品牌: 美高森美

封装: TO-206AA

完全替代

PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

JANTX2N2907AL和JANTX2N2907A的区别

型号: JAN2N2907A

品牌: 美高森美

封装: TO-18 0.5W

完全替代

PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

JANTX2N2907AL和JAN2N2907A的区别

型号: 2N2907AL

品牌: 美高森美

封装: TO-18 PNP

完全替代

抗辐射 RADIATION HARDENED

JANTX2N2907AL和2N2907AL的区别