JANTX1N2970RB
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX1N2970RB中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.5V @2A
耗散功率 10 W
测试电流 370 mA
稳压值 6.8 V
额定功率Max 10 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
引脚数 2
封装 DO-4
外形尺寸
封装 DO-4
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANTX1N2970RB引脚图与封装图
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在线购买JANTX1N2970RB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX1N2970RB | Microsemi 美高森美 | 10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES | 搜索库存 |
替代型号JANTX1N2970RB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX1N2970RB 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-4 | 当前型号 | 10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES | 当前型号 |
| 型号： 1N3999A 品牌： 美高森美 封装： DO-4 | 完全替代 | 10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES | JANTX1N2970RB和1N3999A的区别 |
| 型号： 1N2970RBE3 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | DO-4 6.8V 10W | JANTX1N2970RB和1N2970RBE3的区别 |