JAN2N2857UB
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N2857UB中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 15 V
增益 21 dB
最小电流放大倍数hFE 30 @3mA, 1V
额定功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-3
外形尺寸
封装 SMD-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N2857UB引脚图与封装图
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在线购买JAN2N2857UB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N2857UB | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT NPN 15V 0.04A 3Pin UB | 搜索库存 |
替代型号JAN2N2857UB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N2857UB 品牌： Microsemi 美高森美 封装： 3-SMD | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 15V 0.04A 3Pin UB | 当前型号 |
| 型号： 2N2857UB 品牌： 美高森美 封装： 3-SMD 200mW | 完全替代 | Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 3Pin UB | JAN2N2857UB和2N2857UB的区别 |
