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JANTXV2N6250T1

数据手册.pdf

TO-3 NPN 275V 10A

Bipolar BJT Transistor NPN 275V 10A 6W Through Hole


得捷:
TRANS NPN 275V 10A TO254AA


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT


JANTXV2N6250T1中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 275 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 8 @10A, 3V

额定功率Max 6 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-254-3

外形尺寸

封装 TO-254-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JANTXV2N6250T1引脚图与封装图
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JANTXV2N6250T1 Microsemi 美高森美 TO-3 NPN 275V 10A 搜索库存
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型号: JANTXV2N6250T1

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-3 NPN

当前型号

TO-3 NPN 275V 10A

当前型号

型号: JANS2N6250T1

品牌: 美高森美

封装: TO-3 NPN

完全替代

TO-3 NPN 275V 10A

JANTXV2N6250T1和JANS2N6250T1的区别

型号: JAN2N6250T1

品牌: 美高森美

封装: TO-3 NPN

完全替代

TO-3 NPN 275V 10A

JANTXV2N6250T1和JAN2N6250T1的区别

型号: JANTX2N6250T1

品牌: 美高森美

封装: TO-3 NPN

完全替代

TO-3 NPN 275V 10A

JANTXV2N6250T1和JANTX2N6250T1的区别