JANTX2N2432

Microsemi(美高森美) 分立器件

TO-18 NPN 30V 0.1A

Bipolar BJT Transistor NPN 30V 100mA 300mW Through Hole TO-18 TO-206AA

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin TO-18 Bag

Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin TO-18 Bag

JANTX2N2432中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 80 @1mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JANTX2N2432引脚图与封装图

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JANTX2N2432	Microsemi 美高森美	TO-18 NPN 30V 0.1A	搜索库存

替代型号JANTX2N2432

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： JANTX2N2432 品牌： Microsemi 美高森美封装： TO-18 NPN	当前型号	TO-18 NPN 30V 0.1A	当前型号
型号： 2N2432 品牌：美高森美封装： TO-18	完全替代	NPN硅低功率晶体管 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR	JANTX2N2432和2N2432的区别
型号： JANTXV2N2432 品牌：美高森美封装：	完全替代	TO-18 NPN 30V 0.1A	JANTX2N2432和JANTXV2N2432的区别
型号： JAN2N2432 品牌：美高森美封装： TO-18 NPN	类似代替	TO-18 NPN 30V 0.1A	JANTX2N2432和JAN2N2432的区别