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JANTXV2N5416U4

JANTXV2N5416U4

数据手册.pdf

UA PNP 300V 1A

This family of 2N5415U4 and 2N5416U4 epitaxial planar transistors are military qualified up to a JANS level for high-reliability applications.  These devices are also available in the long-leaded TO-5, short-leaded TO-39 and low profile UA packaging.


艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 1A 1000mW 3-Pin Case U4 Tray


Verical:
Trans GP BJT PNP 300V 1A 1000mW 3-Pin Case U4 Tray


JANTXV2N5416U4中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SMD-3

外形尺寸

封装 SMD-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JANTXV2N5416U4引脚图与封装图
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