锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

JANTXV2N3740

数据手册.pdf

PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 4A 25W Through Hole TO-66 TO-213AA


JANTXV2N3740中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 30 @250mA, 1V

额定功率Max 25 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-213

外形尺寸

封装 TO-213

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JANTXV2N3740引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANTXV2N3740
型号 制造商 描述 购买
JANTXV2N3740 Microsemi 美高森美 PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR 搜索库存