JANS2N5667
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANS2N5667中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 1.2 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 25 @1A, 5V
额定功率Max 1.2 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1200 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-5
外形尺寸
封装 TO-5
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANS2N5667引脚图与封装图
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在线购买JANS2N5667
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANS2N5667 | Microsemi 美高森美 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANS2N5667
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANS2N5667 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-5 NPN 1200mW | 当前型号 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N5667 品牌： 美高森美 封装： TO-5 1200mW | 完全替代 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | JANS2N5667和JANTXV2N5667的区别 |
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| 型号： JANTX2N5667 品牌： 美高森美 封装： TO-5 1200mW | 完全替代 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | JANS2N5667和JANTX2N5667的区别 |