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JANS2N5004

数据手册.pdf

TO-59 NPN 80V 10A

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 5A 2W Stud Mount TO-59


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59


JANS2N5004中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 70 @2.5A, 5V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-59

外形尺寸

封装 TO-59

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

JANS2N5004引脚图与封装图
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型号: JANS2N5004

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-59 NPN

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TO-59 NPN 80V 10A

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型号: JANTXV2N5004

品牌: 美高森美

封装: TO-59 NPN

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TO-59 NPN 80V 10A

JANS2N5004和JANTXV2N5004的区别

型号: JANTX2N5004

品牌: 美高森美

封装: TO-59

完全替代

Trans GP BJT NPN 80V 10A 3Pin TO-59

JANS2N5004和JANTX2N5004的区别

型号: JAN2N5004

品牌: 美高森美

封装: TO-59

完全替代

Trans Npn 80V 5A To59

JANS2N5004和JAN2N5004的区别