JAN1N3671AR
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN1N3671AR中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.35V @38A
封装参数
封装 DO-4-2
外形尺寸
封装 DO-4-2
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN1N3671AR引脚图与封装图
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在线购买JAN1N3671AR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN1N3671AR | Microsemi 美高森美 | Diode Gen Purp 800V 12A Do203aa | 搜索库存 |
替代型号JAN1N3671AR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N3671AR 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-4-2 | 当前型号 | Diode Gen Purp 800V 12A Do203aa | 当前型号 |
| 型号： NTE5887 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | Diode 800V 12A 2Pin DO-4 | JAN1N3671AR和NTE5887的区别 |
| 型号： R20480 品牌： 美高森美 封装： DO-4 | 功能相似 | 广颖电整流器 Silicon Power Rectifier | JAN1N3671AR和R20480的区别 |
