JANS2N5416
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANS2N5416中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 0.75 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 1A
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 750 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-5
外形尺寸
封装 TO-5
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANS2N5416引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANS2N5416
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANS2N5416 | Microsemi 美高森美 | TO-5 PNP 300V 1A | 搜索库存 |
替代型号JANS2N5416
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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