JAN2N6547

Microsemi(美高森美) 分立器件

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 400V 15A 175W Through Hole TO-204AA TO-3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

JAN2N6547中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 400 V

最小电流放大倍数hFE 12 @5A, 2V

额定功率Max 175 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-204

外形尺寸

封装 TO-204

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

JAN2N6547引脚图与封装图

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