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JAN2N3250A

数据手册.pdf

TO-39 PNP 60V 0.2A

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 200mA 360mW Through Hole TO-39 TO-205AD


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.2A 360mW 3-Pin TO-39 Bag


JAN2N3250A中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 1V

额定功率Max 360 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-205

外形尺寸

封装 TO-205

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JAN2N3250A引脚图与封装图
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JAN2N3250A Microsemi 美高森美 TO-39 PNP 60V 0.2A 搜索库存
替代型号JAN2N3250A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JAN2N3250A

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-39 PNP

当前型号

TO-39 PNP 60V 0.2A

当前型号

型号: JANTXV2N3250A

品牌: 美高森美

封装: TO-39 PNP

完全替代

TO-39 PNP 60V 0.2A

JAN2N3250A和JANTXV2N3250A的区别

型号: 2N3250A

品牌: Central Semiconductor

封装:

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