JAN2N3810L
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3810L中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 150 @1mA, 5V
额定功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-78-6
外形尺寸
封装 TO-78-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N3810L引脚图与封装图
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在线购买JAN2N3810L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N3810L | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6Pin TO-78 | 搜索库存 |
替代型号JAN2N3810L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3810L 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-78-6 | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6Pin TO-78 | 当前型号 |
| 型号： 2N3810L 品牌： 美高森美 封装： TO-78-6 | 完全替代 | PNP硅晶体管双 PNP SILICON DUAL TRANSISTOR | JAN2N3810L和2N3810L的区别 |
| 型号： JANS2N3810 品牌： 美高森美 封装： TO-78 PNP 350mW | 类似代替 | TO-78 PNP 60V 0.05A | JAN2N3810L和JANS2N3810的区别 |
| 型号： JAN2N3810 品牌： 雷神 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-78, | JAN2N3810L和JAN2N3810的区别 |
