JAN2N3810
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3810中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 150 @1mA, 5V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 6
封装 TO-78-6
外形尺寸
封装 TO-78-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N3810引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N3810
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3810 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-78-6 | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Small-Signal BJT | 当前型号 |
| 型号： JANS2N3810 品牌： 美高森美 封装： TO-78 PNP 350mW | 完全替代 | TO-78 PNP 60V 0.05A | JAN2N3810和JANS2N3810的区别 |
| 型号： 2N3810L 品牌： 美高森美 封装： TO-78-6 | 完全替代 | PNP硅晶体管双 PNP SILICON DUAL TRANSISTOR | JAN2N3810和2N3810L的区别 |
| 型号： JANTXV2N3810 品牌： 美高森美 封装： TO-78-6 PNP | 完全替代 | TO-78 PNP 60V 0.05A | JAN2N3810和JANTXV2N3810的区别 |