JAN1N5612
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
主动器件
JAN1N5612中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 54 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 G
外形尺寸
封装 G
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN1N5612引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN1N5612
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N5612 品牌： Microsemi 美高森美 封装： G | 当前型号 | 功率齐纳整流器 POWER ZENER RECTIFIER | 当前型号 |
| 型号： 1.5KE56A 品牌： Diotec Semiconductor 封装： | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 47.8V 1.5kW Automotive 2Pin Ammo | JAN1N5612和1.5KE56A的区别 |
| 型号： 1.5KE82A 品牌： Diotec Semiconductor 封装： | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 70.1V VRWM, Unidirectional, 1Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 | JAN1N5612和1.5KE82A的区别 |
