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JANS2N3763

JANS2N3763

数据手册.pdf

Trans Pnp 60V 1.5A To-39

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 1.5A 1W Through Hole TO-39 TO-205AD


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-39 Tray


JANS2N3763中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 20 @1A, 1.5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

JANS2N3763引脚图与封装图
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