JANS1N941B-1
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANS1N941B-1中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
耗散功率 500 mW
稳压值 11.7 V
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANS1N941B-1引脚图与封装图
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在线购买JANS1N941B-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANS1N941B-1 | Microsemi 美高森美 | DO-35 11.7V 0.5W1/2W | 搜索库存 |
替代型号JANS1N941B-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANS1N941B-1 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-35 | 当前型号 | DO-35 11.7V 0.5W1/2W | 当前型号 |
| 型号： 1N941B 品牌： 美高森美 封装： DO-7 | 类似代替 | 11.7 VOLT温度补偿齐纳二极管基准二极管 11.7 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES | JANS1N941B-1和1N941B的区别 |
| 型号： JAN1N941B-1 品牌： 美高森美 封装： DO-7 | 类似代替 | DO-7 11.7V 0.5W1/2W | JANS1N941B-1和JAN1N941B-1的区别 |
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