JAN1N5194
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN1N5194中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1V @100mA
正向电流 200 mA
正向电流Max 0.2 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN1N5194引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN1N5194
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N5194 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-35 | 当前型号 | Diode Switching 70V 0.2A 2Pin DO-35 | 当前型号 |
| 型号： JANTX1N5194 品牌： 美高森美 封装： DO-204AH | 完全替代 | Diode Switching 70V 0.2A 2Pin DO-35 | JAN1N5194和JANTX1N5194的区别 |
| 型号： 1N5194 品牌： 美高森美 封装： DO-204AH | 类似代替 | 通用硅二极管 GENERAL PURPOSE SILICON DIODES | JAN1N5194和1N5194的区别 |
| 型号： JANTXV1N5194 品牌： 美高森美 封装： DO-35-2 | 功能相似 | Rectifiers Standard Rectifier trr more than 500ns | JAN1N5194和JANTXV1N5194的区别 |