JAN2N3467L
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3467L中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 40 @500mA, 1V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-5
外形尺寸
封装 TO-5
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N3467L引脚图与封装图
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在线购买JAN2N3467L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N3467L | Microsemi 美高森美 | PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JAN2N3467L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3467L 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-5 PNP | 当前型号 | PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N3467L 品牌： 美高森美 封装： TO-5 PNP | 完全替代 | PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR | JAN2N3467L和JANTX2N3467L的区别 |
| 型号： JANTXV2N3467L 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR | JAN2N3467L和JANTXV2N3467L的区别 |
| 型号： JANS2N4033 品牌： 美高森美 封装： TO-39 800mW | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 80V 1A 3Pin TO-39 | JAN2N3467L和JANS2N4033的区别 |
