JANTXV2N6806
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
电子元器件分类
JANTXV2N6806中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 6.5A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
JANTXV2N6806引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANTXV2N6806
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N6806 | Infineon 英飞凌 | TO-3P-CH 200V 6.5A | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N6806
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N6806 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | TO-3P-CH 200V 6.5A | 当前型号 |
| 型号： IRF9240PBF 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | TO-3P-CH 200V 11A | JANTXV2N6806和IRF9240PBF的区别 |
| 型号： IRF9240E 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 11A ID, 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, | JANTXV2N6806和IRF9240E的区别 |
| 型号： IRF9240EA 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 11A ID, 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, | JANTXV2N6806和IRF9240EA的区别 |