JANTX2N2919U
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 150 @1mA, 5V
额定功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-3
封装 SMD-3
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANTX2N2919U | Microsemi 美高森美 | Trans 2npn 60V 0.03A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JANTX2N2919U 品牌: Microsemi 美高森美 封装: 3-SMD | 当前型号 | Trans 2npn 60V 0.03A | 当前型号 | |
型号: JANS2N2919U 品牌: 美高森美 封装: U | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6Pin Case U | JANTX2N2919U和JANS2N2919U的区别 |