极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V
额定功率Max 2.12 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-78-6
封装 TO-78-6
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANTXV2N2060L | Microsemi 美高森美 | 规格化双NPN硅晶体管 UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JANTXV2N2060L 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-78-6 NPN | 当前型号 | 规格化双NPN硅晶体管 UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: JANTX2N2060L 品牌: 美高森美 封装: TO-78-6 NPN | 完全替代 | 规格化双NPN硅晶体管 UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N2060L和JANTX2N2060L的区别 | |
型号: JAN2N2060L 品牌: 美高森美 封装: TO-78-6 NPN | 完全替代 | 规格化双NPN硅晶体管 UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N2060L和JAN2N2060L的区别 | |
型号: 2N2060L 品牌: 美高森美 封装: TO-78-6 NPN | 完全替代 | 规格化双NPN硅晶体管 UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N2060L和2N2060L的区别 |