
钳位电压 33.3 V
测试电流 50 mA
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 22.8 V
击穿电压 22.8 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 175℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 G-MELF
封装 G-MELF
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
制造应用 通用
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANTX1N6151AUS | Microsemi 美高森美 | Diode TVS Single Bi-Dir 18.2V 1.5kW 2Pin G-MELF | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JANTX1N6151AUS 品牌: Microsemi 美高森美 封装: MELF | 当前型号 | Diode TVS Single Bi-Dir 18.2V 1.5kW 2Pin G-MELF | 当前型号 | |
型号: JANTXV1N6151AUS 品牌: 美高森美 封装: G-MELF | 完全替代 | G-MELF 18.2V 1500W | JANTX1N6151AUS和JANTXV1N6151AUS的区别 | |
型号: 1N6151AUS 品牌: 美高森美 封装: G-MELF | 类似代替 | G-MELF 18.2V 1500W | JANTX1N6151AUS和1N6151AUS的区别 | |
型号: JAN1N6151AUS 品牌: 美高森美 封装: G-MELF | 类似代替 | G-MELF 18.2V 1500W | JANTX1N6151AUS和JAN1N6151AUS的区别 |