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JANTX1N649-1

JANTX1N649-1

数据手册.pdf

硅整流二极管 Silicon Rectifier Diodes

Need to operate a diode in the reverse-breakdown region? No worries, use a voltage regulator JANTX1N6491 zener diode from . Its maximum power dissipation is 1500 mW. This device has a maximum regulator current of 255 mA. Its test current is 45 mA. Its maximum leakage current is 0.5 μA. This zener device has a nominal voltage of 5.6 V and a voltage tolerance of 5%. This zener diode has an operating temperature range of -65 °C to 175 °C. It is made in a single configuration.

JANTX1N649-1中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1V @400mA

耗散功率 1.5 W

测试电流 45 mA

正向电流 400 mA

稳压值 5.6 V

正向电压Max 1V @400mA

正向电流Max 400 mA

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JANTX1N649-1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANTX1N649-1 Microsemi 美高森美 硅整流二极管 Silicon Rectifier Diodes 搜索库存
替代型号JANTX1N649-1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANTX1N649-1

品牌: Microsemi 美高森美

封装: DO-35

当前型号

硅整流二极管 Silicon Rectifier Diodes

当前型号

型号: JANTXV1N649-1

品牌: 美高森美

封装: DO-35

完全替代

Rectifier Diode, 1Element, 0.15A, Silicon, DO-35, SIMILAR TO DO-35, 2Pin

JANTX1N649-1和JANTXV1N649-1的区别

型号: 1N649-1

品牌: 美高森美

封装: Case

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