JANTXV2N5005
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N5005中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 70 @2.5A, 5V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-59
外形尺寸
封装 TO-59
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANTXV2N5005引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N5005
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N5005 | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT PNP 80V 10A 3Pin TO-59 | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N5005
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N5005 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~3°C/W 2000mW | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 80V 10A 3Pin TO-59 | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N5005 品牌： 美高森美 封装： ~3deg 2000mW | 完全替代 | Trans GP BJT PNP 80V 10A 3Pin TO-59 | JANTXV2N5005和JANTX2N5005的区别 |
| 型号： 2N5005 品牌： 美高森美 封装： ~3deg | 类似代替 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N5005和2N5005的区别 |
| 型号： JAN2N5005 品牌： 美高森美 封装： ~3°C/W | 类似代替 | Trans Pnp 80V 5A To59 | JANTXV2N5005和JAN2N5005的区别 |