JANTXV2N5003
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N5003中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 30 @2.5A, 5V
额定功率Max 2 W
封装参数
封装 TO-210
外形尺寸
封装 TO-210
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
JANTXV2N5003引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANTXV2N5003
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N5003 | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT PNP 80V 10A 3Pin TO-59 | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N5003
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N5003 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~3°C/W | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 80V 10A 3Pin TO-59 | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N5003 品牌： 美高森美 封装： ~3°C/W | 完全替代 | Trans GP BJT PNP 80V 10A 3Pin TO-59 | JANTXV2N5003和JANTX2N5003的区别 |
| 型号： JAN2N5003 品牌： 美高森美 封装： ~3°C/W | 完全替代 | Trans Pnp 80V 5A To59 | JANTXV2N5003和JAN2N5003的区别 |
| 型号： JANS2N5003 品牌： 美高森美 封装： | 类似代替 | TO-59 PNP 80V 10A | JANTXV2N5003和JANS2N5003的区别 |
