JAN2N5237
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N5237中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 120 V
最小电流放大倍数hFE 40 @5A, 5V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-5
外形尺寸
封装 TO-5
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
JAN2N5237引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N5237
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N5237 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-5 | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 120V 10A 3Pin TO-5 | 当前型号 |
| 型号： JANS2N5237 品牌： 美高森美 封装： TO-5 NPN | 完全替代 | TO-5 NPN 120V 10A | JAN2N5237和JANS2N5237的区别 |
| 型号： JAN2N5237S 品牌： 美高森美 封装： TO-39 NPN | 类似代替 | TO-39 NPN 120V 10A | JAN2N5237和JAN2N5237S的区别 |
| 型号： 2N5237S 品牌： 美高森美 封装： TO-39 NPN | 类似代替 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N5237和2N5237S的区别 |