
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -50.0 mA
极性 P-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 30.0 V
栅源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 28.0 mA
击穿电压 30 V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: J271 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 P-Channel -30V -50mA 350mW | 当前型号 | P沟道开关 P-Channel Switch | 当前型号 | |
型号: 2N5114-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-206AA P-Channel 50mA 75Ω | 功能相似 | JFET P-CH 30V TO-206AA | J271和2N5114-E3的区别 | |
型号: 2N5114 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-206AA P-Channel 50mA 75Ω | 功能相似 | JFET P-CH 30V TO-206AA | J271和2N5114的区别 | |
型号: 2N5116 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-206AA P-Channel 50mA 150Ω | 功能相似 | 2N5116 Series 30V Through Hole P-Channel JFETs - TO-206AA | J271和2N5116的区别 |