JAN2N1016C
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N1016C中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 100 V
封装参数
封装 TO-82
外形尺寸
封装 TO-82
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N1016C引脚图与封装图
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在线购买JAN2N1016C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N1016C | Microsemi 美高森美 | NPN 100V | 搜索库存 |
替代型号JAN2N1016C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N1016C 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-82 NPN | 当前型号 | NPN 100V | 当前型号 |
| 型号： 1016C 品牌： API Technologies 封装： | 功能相似 | Power Bipolar Transistor, 7.5A IC, 150V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, TO-82, 2 PIN | JAN2N1016C和1016C的区别 |
