JANTX2N7371
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
JANTX2N7371中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 100000 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 12A
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-254
外形尺寸
封装 TO-254
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANTX2N7371引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N7371
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N7371 | Microsemi 美高森美 | PNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N7371
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N7371 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | PNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： 2N7371 品牌： 美高森美 封装： | 类似代替 | PNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | JANTX2N7371和2N7371的区别 |
| 型号： JAN2N7371 品牌： 美高森美 封装： | 类似代替 | PNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | JANTX2N7371和JAN2N7371的区别 |