JANTXV2N7370
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N7370中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 100 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 12A
最小电流放大倍数hFE 1000 @6A, 3V
额定功率Max 100 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-254-3
外形尺寸
封装 TO-254-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANTXV2N7370引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N7370
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N7370 | Microsemi 美高森美 | NPN达林顿大功率硅晶体管 NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N7370
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N7370 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-254 NPN 100000mW | 当前型号 | NPN达林顿大功率硅晶体管 NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JAN2N7370 品牌： 美高森美 封装： TO-254 NPN | 完全替代 | NPN达林顿大功率硅晶体管 NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N7370和JAN2N7370的区别 |
| 型号： JANTX2N7370 品牌： 美高森美 封装： TO-254 NPN | 完全替代 | NPN达林顿大功率硅晶体管 NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N7370和JANTX2N7370的区别 |
