JAN2N6033
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
JAN2N6033中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 40A
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 140000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
JAN2N6033引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N6033
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N6033 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N6033 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N6033和JANTXV2N6033的区别 |
| 型号： 2N6033 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N6033和2N6033的区别 |