JANS1N5816
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANS1N5816中文资料参数规格
技术参数
正向电压 950mV @20A
反向恢复时间 35 ns
正向电流 20000 mA
正向电流Max 20000 mA
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
引脚数 2
封装 DO-4
外形尺寸
封装 DO-4
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANS1N5816引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANS1N5816
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANS1N5816 | Microsemi 美高森美 | DIODE SCHOTTKY 150V 20A DO203AA | 搜索库存 |
替代型号JANS1N5816
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANS1N5816 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-4 | 当前型号 | DIODE SCHOTTKY 150V 20A DO203AA | 当前型号 |
| 型号： MUR460 品牌： Diotec Semiconductor 封装： | 功能相似 | Diode: rectifying; 600V; 4A; 22A; 60ns | JANS1N5816和MUR460的区别 |
| 型号： MBR2045CT 品牌： 固锝 封装： | 功能相似 | Diode Schottky 45V 20A 3Pin3+Tab TO-220AB | JANS1N5816和MBR2045CT的区别 |
| 型号： MBR20200CT 品牌： EIC 封装： | 功能相似 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V VRRM, Silicon, TO-220AB, | JANS1N5816和MBR20200CT的区别 |