极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-205
封装 TO-205
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANS2N3440 | Microsemi 美高森美 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JANS2N3440 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-39 NPN | 当前型号 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: 2N3440L 品牌: 美高森美 封装: TO-39 NPN | 完全替代 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | JANS2N3440和2N3440L的区别 | |
型号: 2N3440 品牌: Multicomp 封装: TO-39 NPN 1W | 功能相似 | MULTICOMP 2N3440 单晶体管 双极, NPN, 250 V, 15 MHz, 5 W, 1 A, 40 hFE | JANS2N3440和2N3440的区别 | |
型号: 2N3440LEADFREE 品牌: Central Semiconductor 封装: | 功能相似 | TO-39 NPN 250V 1A | JANS2N3440和2N3440LEADFREE的区别 |