JANTXV2N6691
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
JANTXV2N6691中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 15A
封装参数
封装 TO-61
外形尺寸
封装 TO-61
其他
产品生命周期 Active
JANTXV2N6691引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| JANTXV2N6691 | Microsemi 美高森美 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N6691
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N6691 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JAN2N6691 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N6691和JAN2N6691的区别 |
| 型号： JANTX2N6691 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N6691和JANTX2N6691的区别 |
| 型号： 2N6691 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N6691和2N6691的区别 |
