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JANS2N7372

JANS2N7372

数据手册.pdf

TO-254 PNP 80V 5A

Bipolar BJT Transistor PNP 80V 5A 4W Through Hole TO-254AA


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 5A 3-Pin3+Tab TO-254


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 5A 4000mW 3-Pin3+Tab TO-254


JANS2N7372中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 4 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 70 @2.5A, 5V

额定功率Max 4 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 4000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-254-3

外形尺寸

封装 TO-254-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JANS2N7372引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANS2N7372 Microsemi 美高森美 TO-254 PNP 80V 5A 搜索库存
替代型号JANS2N7372
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANS2N7372

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-254 PNP 4000mW

当前型号

TO-254 PNP 80V 5A

当前型号

型号: JAN2N7372

品牌: 美高森美

封装: TO-254 PNP

完全替代

TO-254 PNP 80V 5A

JANS2N7372和JAN2N7372的区别

型号: JANTX2N7372

品牌: 美高森美

封装: TO-254 PNP

类似代替

TO-254 PNP 80V 5A

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型号: 2N7372

品牌: 美高森美

封装:

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JANS2N7372和2N7372的区别